| 型号： | ZXTN25100DGTA | RoHS： | 无铅 / 符合 |
|---|---|---|---|
| 制造商： | Diodes Inc | 描述： | TRANS NPN HI GAIN 100V SOT223 |
详细参数 |
数值 |
|---|---|
| 产品分类 | 分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 |
| ZXTN25100DGTA PDF |  |
| 产品目录绘图 | SOT-223 Package SOT-223 Top |
| 标准包装 | 1 |
| 系列 | - |
| 晶体管类型 | NPN |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大） | 3A |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 100V |
| Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大） | 500mV @ 600mA，3A |
| 电流 - 集电极截止（最大） | - |
| 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE) | 300 @ 10mA，2V |
| 功率 - 最大 | 3W |
| 频率 - 转换 | 175MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-261-4，TO-261AA |
| 供应商设备封装 | SOT-223 |
| 包装 | 标准包装 |
| 产品目录页面 | 1467 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称 | ZXTN25100DGDKR |